Транзистор IGBT, FGH40N60SFD, (600В, 40А, TO-247)
Тип устройства: IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором)
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vce): 600В
Номинальный ток коллектора (Ic): 40А
Тип корпуса: TO-247
Высокая эффективность: Минимизирует потери мощности при переключении, снижая тепловыделение и повышая общую эффективность системы.
Быстрое переключение: Обеспечивает быстрое и точное управление током, что критически важно для импульсных источников питания и инверторов.
Надежность: Прочная конструкция корпуса TO-247 обеспечивает надежную работу в широком диапазоне температур и условий эксплуатации.
Универсальность: Подходит для широкого спектра применений, включая импульсные источники питания, сварочные аппараты, инверторы и системы управления двигателями.
ранзистор FGH40N60SFD представляет собой мощный IGBT транзистор, предназначенный для работы в высоковольтных и сильноточных цепях. Он обладает следующими ключевыми характеристиками:
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vce): 600В. Это максимальное напряжение, которое может быть приложено между коллектором и эмиттером транзистора без риска его повреждения.
Номинальный ток коллектора (Ic): 40А. Это максимальный ток, который может протекать через коллектор транзистора в нормальных условиях эксплуатации.
Импульсный ток коллектора (Icm): 80А. Это максимальный ток, который может протекать через коллектор транзистора в течение короткого промежутка времени.
Напряжение затвор-эмиттер (Vge): ±20В. Это максимальное напряжение, которое может быть приложено между затвором и эмиттером транзистора.
Рассеиваемая мощность (Pd): 214Вт. Это максимальная мощность, которую может рассеивать транзистор при температуре корпуса 25°C.
Сопротивление коллектор-эмиттер в открытом состоянии (Rce(on)): 0.115 Ом. Это сопротивление между коллектором и эмиттером транзистора, когда он находится в открытом состоянии.
Время включения (Ton): 25 нс. Это время, необходимое для включения транзистора.
Время выключения (Toff): 85 нс. Это время, необходимое для выключения транзистора.
Рабочая температура: -55°C to +150°C. Это диапазон температур
